会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货!

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

时间:2025-05-03 10:40:20 来源:体育世界论坛 作者:五家渠市 阅读:816次
10月31日消息,宏微科技披露投资者关系活动记录表显示,公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展,包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,亦已通过可靠性验证。同时,公司表示会坚决拥护国家利好政策,结合战略规划和经营发展需要,用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划,公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外,公司在2024年第三季度,工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%,整体营收结构相对稳定。

(责任编辑:衡水市)

推荐内容
  • king什么币-king是什么币
  • 10月31日光大保德信锦弘混合E净值增长0.36%,近3个月累计上涨6.1%
  • 10月31日申万菱信乐享混合净值增长1.26%,近3个月累计上涨20.2%
  • 10月31日永赢鑫享混合C净值增长0.17%,近3个月累计上涨3.29%
  • 10月31日上银鑫达灵活配置混合C净值下跌0.08%,近1个月累计下跌3.18%
  • 10月31日鹏华成长价值混合C净值增长0.13%,今年来累计上涨3.65%